氮化硅廠
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關于氮化硅生產方法的介紹：
氮化硅的晶胞參數與單質硅不同。因此根據沉積方法的不同，生成的氮化硅薄膜會有產生張力或應力。特別是當使用等離子體增強化學氣相沉積技術時，能通過調節沉積參數來減少張力。
先利用溶膠凝膠法制備出二氧化硅，然后同時利用碳熱還原法和氮化對其中包含特細碳粒子的硅膠進行處理后得到氮化硅納米線。硅膠中的特細碳粒子是由葡萄糖在1200-1350°C分解產生的。合成過程中涉及的反應可能是：SiO2（s） + C（s） → SiO（g） + CO（g）
3 SiO（g） + 2 N2（g） + 3 CO（g） → Si3N4（s） + 3 CO2（g） 或
3 SiO（g） + 2 N2（g） + 3 C（s） → Si3N4（s） + 3 CO（g）
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